在职.全日制双证博士研究生《半导体物理》《陶瓷材料学》《高分子化学》入学考试大纲 
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在职.全日制双证博士研究生《半导体物理》《陶瓷材料学》《高分子化学》入学考试大纲
发布时间:2021-04-24 14:24:59

第一部分考试说明
一、考试性质
陶瓷材料学是我校为招收材料学专业博士研究生设置的专业考试课程。它的评价标准是高等学校材料学专业优秀硕士毕业生能取得及格及以上成绩。
考试对象为参加当年全国博士研究生入学考试的准考考生。


二、考试形式与试卷结构
(一)答卷方式:闭卷,笔试
(二)答题时间;180分钟
(三)各部分内容的考试比例
陶瓷材料学  100%
(四)题型比例
简答题  约60%
分析/论述题  约40%


第二部分考查要点

第一章绪论
1.1陶瓷材料的定义
1.2陶瓷材料的发展史
1.3陶瓷材料的键特性与基本性能
1.4典型陶瓷材料及其应用
陶瓷材料未来发展及关键问题


第二章陶瓷材料的晶体结构
2.1离子晶体的结构规则—鲍林规则
2.2几种典型的晶体结构
2.2.1MX结构
2.2.2MX2结构
2.2.3M2X结构
2.2.4M2X3结构
2.3硅酸盐陶瓷的晶体结构
2.3.1硅酸盐陶瓷的晶体结构特点及分类
2.3.2岛状硅酸盐陶瓷晶体结构
2.3.3组群状硅酸盐陶瓷晶体结构
2.3.4链状硅酸盐陶瓷晶体结构
2.3.5层状硅酸盐陶瓷晶体结构
2.3.6架状硅酸盐陶瓷晶体结构


第三章非晶态与玻璃结构
3.1非晶态原子结构
3.1.1非晶态原子结构特点
3.1.2非晶态物质的结构表征方法
3.1.3非晶态物质的热学参数表征
3.1.4非晶态结构的制备方法
3.2氧化物玻璃
3.2.1硅酸盐玻璃
3.2.2硼酸盐玻璃
3.2.3磷酸盐玻璃


第四章陶瓷材料的平衡相图
4.1陶瓷系统相平衡特点
4.2单元系统相图
4.2.1SiO2系统相图
4.2.2ZrO2系统相图


4.3二元系统相图
4.3.1具有低共熔点的二元系统
4.3.2生成一致熔融化合物的二元系统
4.3.3生成不一致熔融化合物的二元系统
4.3.4固相中有化合物形成或分解的系统
4.3.5具有多晶转变的系统
4.3.6具有液相分层的系统
4.3.7形成连续固溶体的系统
4.3.8形成不连续固溶体的系统


4.4三元系统相图
4.4.1具有三元最低共熔点的系统
4.4.2生成一个一致熔融二元化合物的三元系统相图
4.4.3生成一个不一致熔融二元化合物的三元系统
4.4.4生成一个固相分解的二元化合物的三元系统
4.4.5具有低温稳定的二元化合物的三元系统
4.4.6具有同组成熔融三元化合物的系统
4.4.7具有异组成熔融三元化合物的系统
4.4.8具有两种液相分层的三化合物的系统


第五章陶瓷材料的烧结
5.1概述
5.2烧结动力学
5.3固相烧结及机理
5.4液相烧结及机理
5.5陶瓷烧结的影响因素
5.6特色烧结方法及装备


第六章陶瓷材料的脆性与增韧
6.1陶瓷材料的脆性机理
6.2陶瓷材料的增韧
6.2.1相变增韧
6.2.2微裂纹增韧
6.2.3裂纹偏折和弯曲增韧
6.2.4裂纹分支增韧
6.2.5桥联与拔出增韧
6.2.6延性颗粒增韧
6.2.7残余应力增韧
6.2.8压电效应损耗能量增韧
6.2.9电畴翻转增韧
6.2.10复合韧化机制


第七章陶瓷材料的断裂力学
7.1陶瓷断裂强度的微裂纹理论
7.2裂纹尖端应力和应力场强度因子
7.3断裂韧度的测量与计算


第八章先进结构陶瓷
8.1氧化铝(Al2O3)结构陶瓷
8.2氮化硅(Si3N4)结构陶瓷
8.3碳化硅(SiC)/高温结构陶瓷
8.4增韧氧化物结构陶瓷
8.5其他结构陶瓷


博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲(科目代码:2207)


第一部分考试说明
一、考试性质
全国博士研究生入学考试是为高等学校招收博士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀硕士毕业生能达到的及格或及格以上水平,以保证被录取者具有基本的半导体物理基础并有利于在专业上择优选拔。
考试对象为参加当年全国博士研究生入学考试的硕士毕业生,或具有同等学力的在职人员。


二、考试的学科范围
考试内容包括:半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、pn结、金属和半导体的接触、半导体表面与MIS结构、半导体异质结构、半导体的光学性质和光电与发光现象、半导体的热电性质。
考查要点详见本纲第二部分。


三、评价目标
本课程考试的目的是考察考生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决电子科学与技术相关问题的能力。
四、考试形式与试卷结构
1答卷方式:闭卷,笔试。
2答题时间:180分钟。
3各部分内容的考查比例:满分100分


半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级约20%;
半导体中载流子的统计分布、导电性约30%;
非平衡载流子、p-n结、金属-半导体接触约30%;
半导体表面与MIS结构、异质结约10%;
半导体光、电、热特性约10%。


4题型比例:
简答题(包括概念、判断题、填空)45%;证明题10%、作图及说明题15%、计算题10%、论述题20%。


第二部分考查要点
1半导体中的电子状态
半导体的晶格结构和结合性质;半导体中的电子状态和能带;半导体中电子的运动、有效质量;本征半导体的导电机构、空穴;回旋共振;硅和锗的能带结构;Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构;Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构;Si1-xGex合金的能带;宽禁带半导体材料。


2半导体中杂质和缺陷能级
硅、锗晶体中的杂质能级;Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级;氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级;缺陷、位错能级。
3半导体中载流子的统计分布
状态密度;费米能级和载流子的统计分布;本征半导体的载流子浓度;杂质半导体的载流子浓度;一般情况下的载流子统计分布;简并半导体;电子占据杂质能级的概率。


4半导体的导电性
载流子的漂移运动和迁移率;载流子的散射;迁移率与杂质浓度和温度的关系;电阻率及其与杂质浓度和温度的关系;玻耳兹曼方程、电导率的统计理论;强电场下的效应、热载流子;多能谷散射、耿氏效应。
5非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合;非平衡载流子的寿命;准费米能级;复合理论;陷阱效应;载流子的扩散运动;载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式;连续性方程式;硅的少数载流子寿命与扩散长度。


6pn结
pn结及其能带图;pn结电流电压特性;pn结电容;pn结击穿;pn结隧道效应。
7金属和半导体接触
金属半导体接触及其能级图;金属半导体接触整流理论;少数载流子的注入和欧姆接触。
8半导体表面和MIS结构
表面态;表面电场效应;MIS结构的C–V特性;硅–二氧化硅系统的性质;表面电导及迁移率;表面电场对pn结特性的影响。
9半导体异质结构
半导体异质结及其能带图;半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性;半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性;半导体应变异质结构;GaN基半导体异质结构;半导体超晶格。


10半导体的光学性质和光电与发光现象
半导体的光学常数;半导体的光吸收;半导体的光电导;半导体的光生伏特效应;半导体发光;半导体激光;半导体异质结在光电子器件中的应用。


11半导体的热电性质
热电效应的一般描述;半导体的温差电动势率;半导体的珀耳帖效应;半导体的汤姆逊效应;半导体的热导率;半导体热电效应的应用。
第三部分考试样题(略)


博士研究生入学考试《高分子化学(二)》考试大纲


第一部分考试说明

一、考试性质
高分子化学(材料类)考试科目是我校为招收材料学、材料加工工程专业博士研究生而设置的,由我校材料科学与工程学院命题。考试的评价标准是普通高等学校化学、化工、材料及相近专业优秀硕士毕业生能达到的及格或及格以上水平。


考试对象为符合国家教育部及我校招收博士研究生有关规定的参加全国硕士研究生入学统一考试的各类人员。
二、考试的学科范围
应考范围包括:高分子的基本概念、聚合物的分类与命名、自由基聚合、自由基共聚合、逐步聚合、离子聚合、配位聚合、聚合方法、聚合物的化学反应、聚合物的分析与表征等。


三、评价目标
高分子化学是高分子化工、高分子材料及相关专业的重要专业基础课。本课程考试旨在考查考生是否了解高分子学科的基本特点及高分子化学的基本概念、基本理论,是否掌握了常见聚合类型的基本原理、基本特点及应用,是否了解常用的聚合方法和高聚物的表征手段。


四、考试形式与试卷结构
(一)答卷方式:闭卷,笔试;
(二)答题时间:180分钟;
(三)各部分内容的考查比例(满分为100分)
高分子的基本概念: 约10%
自由基聚合: 约15%
自由基共聚合: 约15%
逐步聚合: 约15%
离子聚合与配位聚合: 约15%
聚合方法: 约5%
聚合物的化学反应: 约10%
高聚合的分析与表征: 约10%
高分子化学文献及进展:约5%


(四)题型比例
名词解释 约25%
填空题 约15%
问答题 约30%
计算题 约30%


第二部分考查要点
一、高分子的基本概念
1.聚合物的分类与命名
2.聚合物的物理状态和主要性能
3.聚合物材料和机械强度


二、自由基聚合
1.自由基聚合机理
2.链引发反应
3.聚合速率
4.分子量和链转移反应
5.阻聚和缓聚
6.反应速率常数的测定


三、自由基共聚合
1.共聚物的类型和命名
2.二元共聚物的组成
3.竟聚率的测定和影响因素
4.单体和自由基的活性
5.Q-e概念


四、逐步聚合
1.缩聚反应
2.线型缩聚反应的机理及动力学
3.影响线型缩物聚合度的因素和控制方法
4.线型逐步聚合原理和方法的应用及重要线型逐步聚合物
5.体型缩聚
6.凝胶化作用的凝胶点


五、离子聚合
1.阳离子聚合的单体、引发体系引发作用
2.阳离子聚合机理及特点
3.阳离子聚合的影响因素
4.阴离子聚合的单体、引发体系及引发作用
5.阴离子聚合引发剂与单体的匹配
6.阴离子聚合的特点
7.自由基聚合与离子聚合的比较
8.工业上重要的开环聚合


六、配位聚合
1.引发剂的类型和作用
2.聚合物的立构规整性
3.Ziegler-Natta引发剂
4.a-烯烃的配位阴离子聚合


七、聚合方法
1.本体聚合
2.溶液聚合
3.悬浮聚合
4.乳液聚合


八、聚合物的化学反应
1.聚合物的反应活性及影响因素
2.聚合物的相似转变
3.功能高分子
4.聚合物的降解
5.聚合物的老化与防老


九、高聚物的分析与表征
1.质谱法
2.热解气相色谱法
3.红外与拉曼光谱
4.核磁共振法
5.X射线衍射和X光小角散射法
十、高分子化学文献与进展
第三部分考试样题(略)

 

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